-
1 выполненный полностью на полупроводниках триодах
adjelectr. volltransistorisiertУниверсальный русско-немецкий словарь > выполненный полностью на полупроводниках триодах
-
2 катализ на полупроводниках
noil. HalbleitkatalyseУниверсальный русско-немецкий словарь > катализ на полупроводниках
-
3 память на полупроводниках
nIT. Halbleiterspeicher (ñì. Spiecher)Универсальный русско-немецкий словарь > память на полупроводниках
-
4 пробой в полупроводниках
nmicroel. Durchbruch in HalbleiternУниверсальный русско-немецкий словарь > пробой в полупроводниках
-
5 схема на полупроводниках
neng. Halbleiterschaltkreis, HalbleiterschaltungУниверсальный русско-немецкий словарь > схема на полупроводниках
-
6 фотоэффект в полупроводниках
nelectr. HalbleiterphotoeffektУниверсальный русско-немецкий словарь > фотоэффект в полупроводниках
-
7 эффекты в полупроводниках
nmicroel. HalbleitereffekteУниверсальный русско-немецкий словарь > эффекты в полупроводниках
-
8 фотоэффект в полупроводниках
Russian-german polytechnic dictionary > фотоэффект в полупроводниках
-
9 фотоэффект в полупроводниках
Русско-немецкий словарь по фототехнике, фотографии, кинотехнике и киносъемке > фотоэффект в полупроводниках
-
10 дырка
* * *ды́рка f (´-ок) kleines Loch n;в ды́рках voller Löcher* * *ды́рк|а<-и>ж kleineres Loch nt* * *n1) geol. Defektelektron (éëåêòðîííàÿ), Elektronenloch, Fehlstelle (дефект кристаллической решётки), Loch2) eng. Elektronenleerstelle3) chem. Loch (элементарный положительный заряд)4) radio. (электронная) Defektelektron, Elektronendefekt, Lochelektron6) electr. Leerplatz, Leerstelle, Leitungsdefektelektron, Leitungsloch, Loch (квантовое состояние, не занятое электроном; положительно заряженный носитель заряда в полупроводниках), Löcherelektron, Lücke, Mangelektron, Mangelelektron, positives Elektron7) microel. Defektelektron (носитель положительного заряда в полупроводниках), Elektronenfehlstelle, Elektronenlücke, Gitterlücke -
11 обеднённый слой
adj1) electr. Sperrschicht (в полупроводниках), Sperrschicht (в полупроводниках), Sperrschicht, (носителями заряда) Verarmungsschicht, (носителями) trägerverarmte Schicht2) microel. Entblößungsschicht, Sperrschichtbereich, Sperrschichtzone, Verarmungsbereich, Verarmungsgebiet, Verarmungsschicht, Verarmungszone, verarmte Sperrschicht -
12 обедненный слой
adj1) electr. Sperrschicht (в полупроводниках), Sperrschicht (в полупроводниках), Sperrschicht, (носителями заряда) Verarmungsschicht, (носителями) trägerverarmte Schicht2) microel. Entblößungsschicht, Sperrschichtbereich, Sperrschichtzone, Verarmungsbereich, Verarmungsgebiet, Verarmungsschicht, Verarmungszone, verarmte Sperrschicht -
13 центр захвата
n1) eng. Enfangzentrum, Fangstelle (в полупроводниках), Hartstelle (в полупроводниках), Trap2) electr. Fallenzentrum3) microel. Einfangzentrum, Haftstelle, Haftzentrum -
14 дислокация
f Mil. Stationierung; Einsatzort m; Geol. Dislokation* * *дислока́ция f MIL Stationierung; Einsatzort m; GEOL Dislokation* * *дислока́ци|я<-и>ж ВОЕН, ГЕОЛ Dislokation fдислока́ция войск Dislokation der Armeeдислока́ция го́рных поро́д Dislokation der oberen Bodenschichten* * *n1) gener. Dislokation (тж. воен.), Dislozierung (тж. воен.), Dislokation2) geol. Abgleitung, Lagerungstörung, Störung, Verlegung, geologische Störung3) milit. Standort, Standortverteilung4) eng. Fehlanordnung, Fehlordnung, Fehlstelle, Lagerungsstörung, Umsetzung5) ling. Verschiebung6) mining. Gebirgsstörung7) radio. Versetzung (в полупроводниках)9) oil. Störung (в геологии)10) microel. Kristallversetzung (дефект кристаллической решётки)11) nav. Stationierung (войск) -
15 запирающее направление
Универсальный русско-немецкий словарь > запирающее направление
-
16 запирающий слой
adj1) eng. (запорный) Sperrschicht2) electr. Barrierschicht, Grenzschicht, Sperrschicht (в полупроводниках), Sperrschicht3) autom. Sperrschicht (сухого выпрямителя)4) cinema.equip. sperrende Schicht (напр., выпрямительного элемента) -
17 инверсионный слой
adj1) Av. Inversionsschicht (в атмосфере)2) eng. Inversionsschicht3) radio. Inversionsschicht (в полупроводниках)4) electr. Temperaturumkehrschicht (атмосферы) -
18 инверсный слой
adjelectr. Inversionsschicht (в полупроводниках) -
19 лавинный пробой
adj1) radio. Lawinendurchschlag (в полупроводниках)2) electr. Durchschlag durch Lawineneffekt, Lawinendurchschlag, lawinenartiger Spannungsdurchschlag3) microel. Avalanchedurchbruch, Lawinendurchbruch, Multiplikationsdurchbruch -
20 легированный примесями
adjelectr. dotiert (о полупроводниках)Универсальный русско-немецкий словарь > легированный примесями
См. также в других словарях:
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
время восстановления запорного слоя (в полупроводниках) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN reverse recovery time … Справочник технического переводчика
рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — [hole electron recombination in semiconductors] исчезновение пары электронной проводимости дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Различают излучательную рекомбинацию (избыток энергии выделяется в виде… … Энциклопедический словарь по металлургии
легирование (в полупроводниках) — легирование Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n типа или p типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.… … Справочник технического переводчика
полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… … Энциклопедический словарь
АКУСТОЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ — (АЭВ), вз ствие УЗ волн (с частотой =107 1013 Гц) с эл нами проводимости в металлах и ПП; обусловлено изменением внутрикристаллического поля, при деформации решётки кристалла под действием распространяющейся УЗ волны. АЭВ явл. частным случаем… … Физическая энциклопедия
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… … Физическая энциклопедия
ЭКСИТОН — (от лат. excito возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению в кристалле диэлектрика или ПП, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом электрич. заряда и массы. Представление об Э. введено в 1931 Я. И.… … Физическая энциклопедия
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… … Физическая энциклопедия